RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
51
Около -46% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2672
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link