RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2386
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link