RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2081
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link