RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2812
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link