RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2812
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link