RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
51
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
43
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2532
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link