RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
51
Около -19% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
43
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2532
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link