RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2157
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link