RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2157
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link