RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2773
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link