RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2055
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link