RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2055
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link