RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2461
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology 10242397 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link