RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2922
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905428-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link