RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2922
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link