RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2711
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link