RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
51
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
42
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2735
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link