RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
92
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
92
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2201
1640
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link