RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
4202
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link