RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
1832
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kllisre 0000 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link