RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
81
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
81
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1959
1668
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link