Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 81

Около 43% меньшая задержка

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.2 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.9 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 81
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 15.2
Скорость записи, Гб/сек

7.5 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1959 1668

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

модули RAM

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB

Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB

модули RAM