RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1959
2651
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link