RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Сравнить
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
46
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1959
2651
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link