RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1959
3119
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link