Porównanie pamięci RAM Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Wynik ogólny

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

32 63

Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.4 7.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.5 5.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 10600

Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1130 3137

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns