RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
77
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
61
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2028
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link