RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2606U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R748G2606U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
61
77
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
61
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2028
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link