RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1130
2925
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link