RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Confronto
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
63
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
24
Velocità di lettura, GB/s
7.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1130
2925
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link