RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
63
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1130
2910
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link