RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
61
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
61
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
2025
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link