RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
72
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
72
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
1728
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link