RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
72
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
1728
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link