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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
72
Por volta de 40% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
72
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
1728
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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