RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
72
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
72
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1728
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link