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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
61
Intorno 61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
61
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2301
2025
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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