RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2471
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link