RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2633
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link