RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
41
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1982
2633
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link