RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2298
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link