RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
26
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3731
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link