RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3237
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link