RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2947
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link