RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2037
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link