RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
99
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
99
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1386
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link