RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3146
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link