RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2844
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link