RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2844
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link