RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2660
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link