RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2660
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link