RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
77
Intorno -141% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
32
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2660
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link