RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3145
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link