RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2703
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link